研究核心設施中心(原貴儀中心)

基於資源共享的理念，本校規劃校內貴儀開放服務，目前共有32儀器加入服務的行列。若有使用需求者，請逕洽儀器負責人。
申請加入校內貴儀流程	儀器備查表	服務績效表

光電中心

‧高密度電漿蝕刻系統

‧電感耦合電漿蝕刻系統

‧感應式耦合電漿化學氣相沉積系統

‧雷射剝離機台

‧可調波長光源及光檢測計JOBIN YVON

‧Veeco接觸式原子力顯微鏡系統

‧冷場發射掃描式電子顯微鏡JEOL JSM6700

‧JSM-7000F 高解析熱電子型場發射掃瞄式電子顯微鏡

物理系

化學系

光電系

系生所

‧Affymetrix基因晶片掃描分析系統

‧快速同步基因定量偵測系統 (ViiA7 Real-Time PCR System)

化材系

‧覆晶鍵合機超音波模組

‧(低掠角/穿透式) 小角度X光散射儀

機械系

‧三維粒子影像測速系統(Dantec Flowmap)

環工所

土木系

電機系

地科系

‧JEOL場發射掃描式電子顯微鏡含元素能量分析儀

大氣系

‧高速叢集運算系統

‧偏極化都卜勒雷達

太空所

‧中壢特高頻雷達發射機與接收機系統、雷達控制與資料擷取系統

暫不開放服務儀器

‧安捷倫 E8364B 微波向量網路分析儀

‧鹿林一米望遠鏡

‧安捷倫 81142A 儰亂碼產生器

‧安捷倫 DSO80604B 高頻示波器(已升級為 DSO81204B)

‧Olympus雷射共軛焦掃描顯微鏡

‧原子力顯微鏡含防震桌等

OPTECH三度空間雷射掃瞄測繪系統

購置年度：97

管理單位：太遙中心

放置地點：R2-501

服務項目：物件三維掃描分析

開放服務對象：校內、校外

基本規格：

	OPTEC ILRIS36D
1.	測距範圍：350m (目標物4% 反射量)、800m(目標物20% 反射量)、up to 1500m(目標物80% 反射量)。
2.	測距精度：7mm at 100m。
3.	測量速度：2000 點/秒。
4.	雷射點尺寸：D=0.17R+12（D=雷射點尺寸(mm)、R=目標物距離(m)）、29mm At 100m。
5.	最小測量點距：S=0.026R（S=點距(mm)、R=目標物距離(m)）、>2.6mm At 100m。
6.	數位相機：六百萬畫素，彩色點雲。
7.	工作視窗：17cm VGA。
8.	控制介面：Palm PDA。
9.	傳輸介面：IR & RS232。
10.	尺寸：320x320x220
11.	操作溫度：0℃ to +40℃
12.	儲存溫度：-20℃ to +50℃
13.	操作環境：NEMA 4X water and dust-proof, IP65
14.	雷射安全度：Class I Laser at all mode(IEC 60825-1,Am2,US FDA 21 CFR1041)
15.	視域範圍： 40°(V) X 40°(H) 加裝360度模組可達20°~ 90°(V) X 360°(H)

收費標準：按規定收費，請洽儀器負責人

儀器負責人聯絡方式：

負責教授：蔡富安教授

電話：03-4227151#57622

郵件：ftsai@csrsr.ncu.edu.tw

操作員：莊惟安、鄒序康、梁隆鑫

電話：03-4227151#57698.57690.57625

郵件：lsliang@csrsr.ncu.edu.tw

儀器網址：http://www.csrsr.ncu.edu.tw/jointlab/

高密度電漿蝕刻系統

購置年度：91

管理單位：光電中心

放置地點：O-414-1

服務項目：

1.	2000 W 2.45 GHz HF generator for HDP mode 300 W 13.56 MHz RF generator for RIE mode
2.	Gas species：Cl2、BCl3、SiCl4、SF6、CH4、H2、Ar、O2、He、N2
3.	High density plasma (HDP) for high etching rates
4.	Very low plasma potential (<2 V at 20 mT) for low damage
5.	Low self bias voltage with extremely precise mointoring
6.	Real time access to numerous etching modes：RIE、HDP、RIE+HDP

開放服務對象：校內、校外

基本規格：

1.	廠牌：Unaxis Nextral 860L
2.	Plasma generator:2000 W 2.45 GHz HF generator for HDP mode、300 W 13.56 MHz RF generator for RIE mode
3.	Gas：Cl2、BCl3、SiCl4、SF6、CH4、H2、Ar、O2、He、N2
4.	Auto loading system for 4” Si wafer
5.	Real time access to numerous etching modes：RIE、HDP、RIE+HDP
6.	Etching depth :End-Point Detector monitoring

收費標準：按規定收費，請洽儀器負責人

儀器負責人聯絡方式：

負責教授：許晉瑋教授

電話：03-4227151#34466

郵件：jwshi@ee.ncu.edu.tw

操作員：賴政宏

電話：03-4227151#34560

郵件：jungle_171@hotmail.com

儀器網址：尚無

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